深圳市永貝爾半導體有限公司

規格
產品屬性屬性值選擇屬性
制造商: onsemi 
產品種類: MOSFET 
RoHS:  詳細信息 
REACH - SVHC: 詳細信息 
技術: Si 
安裝風格: SMD/SMT 
封裝 / 箱體: TO-252-3 
晶體管極性: N-Channel 
通道數量: 1 Channel 
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V 
Id-連續漏極電流: 101 A 
Rds On-漏源導通電阻: 4.4 mOhms 
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, %2B 20 V 
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V 
Qg-柵極電荷: 75 nC 
工作溫度: - 55 C 
工作溫度: %2B 175 C 
Pd-功率耗散: 93.75 W 
通道模式: Enhancement 
系列: NTD5802N 
封裝: Reel 
封裝: Cut Tape 
封裝: MouseReel 
商標: onsemi 
配置: Single 
下降時間: 8.5 ns 
正向跨導 - 值: 16.8 S 
高度: 2.38 mm 
長度: 6.73 mm 
產品類型: MOSFET 
上升時間: 52 ns 
工廠包裝數量: 2500 
子類別: MOSFETs 
晶體管類型: 1 N-Channel 
類型: Power MOSFET 
典型關閉延遲時間: 39 ns 
典型接通延遲時間: 14 ns 
寬度: 6.22 mm 
單位重量: 330 mg   規格
產品屬性屬性值選擇屬性
制造商: onsemi 
產品種類: MOSFET 
RoHS:  詳細信息 
REACH - SVHC: 詳細信息 
技術: Si 
安裝風格: SMD/SMT 
封裝 / 箱體: TO-252-3 
晶體管極性: N-Channel 
通道數量: 1 Channel 
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V 
Id-連續漏極電流: 101 A 
Rds On-漏源導通電阻: 4.4 mOhms 
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, %2B 20 V 
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V 
Qg-柵極電荷: 75 nC 
工作溫度: - 55 C 
工作溫度: %2B 175 C 
Pd-功率耗散: 93.75 W 
通道模式: Enhancement 
系列: NTD5802N 
封裝: Reel 
封裝: Cut Tape 
封裝: MouseReel 
商標: onsemi 
配置: Single 
下降時間: 8.5 ns 
正向跨導 - 值: 16.8 S 
高度: 2.38 mm 
長度: 6.73 mm 
產品類型: MOSFET 
上升時間: 52 ns 
工廠包裝數量: 2500 
子類別: MOSFETs 
晶體管類型: 1 N-Channel 
類型: Power MOSFET 
典型關閉延遲時間: 39 ns 
典型接通延遲時間: 14 ns 
寬度: 6.22 mm   
單位重量: 330 mg
規格
產品屬性屬性值選擇屬性
制造商: onsemi 
產品種類: MOSFET 
RoHS:  詳細信息 
REACH - SVHC: 詳細信息 
技術: Si 
安裝風格: SMD/SMT 
封裝 / 箱體: TO-252-3 
晶體管極性: N-Channel 
通道數量: 1 Channel 
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V 
Id-連續漏極電流: 101 A 
Rds On-漏源導通電阻: 4.4 mOhms 
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, %2B 20 V 
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V 
Qg-柵極電荷: 75 nC 
工作溫度: - 55 C 
工作溫度: %2B 175 C 
Pd-功率耗散: 93.75 W 
通道模式: Enhancement 
系列: NTD5802N 
封裝: Reel 
封裝: Cut Tape 
封裝: MouseReel 
商標: onsemi 
配置: Single 
下降時間: 8.5 ns 
正向跨導 - 值: 16.8 S 
高度: 2.38 mm 
長度: 6.73 mm 
產品類型: MOSFET 
上升時間: 52 ns 
工廠包裝數量: 2500 
子類別: MOSFETs 
晶體管類型: 1 N-Channel 
類型: Power MOSFET 
典型關閉延遲時間: 39 ns 
典型接通延遲時間: 14 ns 
寬度: 6.22 mm 
單位重量: 330 mg  
場效應管場效應管場效應管場效應管