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吳小姐 
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發布時間： 2019/4/19 10:29:24 | 2253 次閱讀
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詳情（英文版）:
HAT2173HSilicon N Channel Power MOS FET
Power Switching
Features•
High speed switching• Capable of 8 V gate drive• Low drive current• High density mounting• Low on-resistanceRDS(on) = 12 mΩ typ. (at VGS = 10 V)
詳情（中文版）:
HAT2173H硅N溝道功率MOS場效應管
功率開關
特征·
高速切換具有8V柵極驅動的能力·低驅動電流·高密度安裝·低導通電阻RDS(ON)=12米Ω 再來。(按V數計算)一般事務=10 V)
